Integriertes Bauteil erlaubt durch hohe Schaltfrequenz den Einsatz von dünneren Induktionsspulen und somit schlankere Systeme
Fürstenfeldbruck – 19. März 2012 – Die Entwickler von Stromversorgungen stehen der Herausforderung gegenüber, dass sie die Höhe der Induktionsspule reduzieren müssen, um den Low-Profile-Formfaktor der immer dünneren UltrabookTM Geräten und Notebooks einhalten zu können. Die FDMF6708N Generation II XSTM DrMOS Familie von Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) ist eine voll optimierte, kompakte, integrierte MOSFET Leistungsstufe mit Treiber für synchrone DC-DC-Hochfrequenz-Abwärtsregler für hohe Ströme. Der FDMF6708N integriert ein Treiber-IC, zwei Power MOSFETs und eine Bootstrap-Schottky-Diode in einem thermisch verbesserten 6×6 mm2 großen PQFN Intel® DrMOS v4.0 Standardgehäuse.
Der FDMF6708N zeichnet sich durch eine um 50 Prozent kleinere Grundfläche, eine hohe Schaltfrequenz und hohe Leistungsdichte aus. Die ZCD-Funktion (Zero Cross Detect) des Bauteils verbessert den Wirkungsgrad bei kleiner Last und verlängert so die Batterielaufzeit. Im Gegensatz zu konventionellen diskreten Lösungen erreicht das Bauteil einen hohen Wirkungsgrad auch bei Volllast, da die neueste Steuer-FET- und SyncFETTM-Technologie sowie ein Clip-Bond-Gehäuse mit geringer Induktivität zum Einsatz kommen. Konventionelle diskrete Lösungen benötigen mehr Platz auf der Leiterplatte, längere Layout-Bahnen, größere Induktivitäten und mehr zusätzliche Komponenten, was ein schlechteres thermisches Verhalten bei höheren Frequenzen zur Folge hat. Die höheren Frequenzen sind allerdings erforderlich, um Induktivitäten mit kleinerer Baugröße einsetzen zu können.
Der FDMF6708N ist in einem 6×6 mm2 großen PQFN-Gehäuse verfügbar und bietet einen um 2,5 Prozent besseren Wirkungsgrad bei Lastspitzen (15A) und einen um 6 Prozent höheren Wirkungsgrad bei Volllast (30A) als vergleichbare Lösungen. Das Bauteil ist für den Einsatz in Anwendungen mit einer Schaltfrequenz von 600kHz bis 1,0MHz und einer Eingangsspannung bis 20V geeignet. Dies ermöglicht die Verwendung kleinerer und dünnerer Induktionsspulen und Kondensatoren, so dass die Produkte flacher werden und die thermischen Anforderungen erfüllen. Der FDMF6708N hilft somit die Herausforderungen beim Design von UltrabookTM Geräten zu lösen, die dann nicht nur weniger Wärme erzeugen und dünner sind, sondern zudem Energie sparen.
Weitere Informationen und Muster sind erhältlich über: http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6708N.html
Funktionen und Vorteile:
– die Schaltfrequenz von mehr als 1,0MHz reduziert die Gesamtgröße, spart bis zu 50 Prozent Leiterplattenfläche und erlaubt dünnere Systeme durch Induktionsspulen mit geringerer Höhe
– die ZCD-Schaltung (Zero Cross Detect ) ermöglicht einen besseren Wirkungsgrad bei kleinen Lasten
– das 6x6mm2 große PQFN-Gehäuse Intel® DrMOS v4.0 ist eine Standardbauform, sowie ein Multi-Source Multi-Chip-Modul (MCM)
– Verbesserung des Wirkungsgrads um 2,5 Prozent bei Lastspitzen (15A) und um 6 Prozent bei 30A Volllast (19Vin, 1Vout, 800 kHz) gegenüber vergleichbaren Lösungen, dies ermöglicht eine längere Batterielaufzeit
Die Generation II XSTM DrMOS Serie von Fairchild Semiconductor nutzt führende Technologien, um die Energieeffizienz und Formfaktor-Herausforderungen der heutigen Designs zu erfüllen. Die Generation II XSTM DrMOS Bauteile sind Teil der energieeffizienten analogen und diskreten Leistungsbauteile sowie Optoelektronik-Lösungen von Fairchild, die eine maximale Energieeinsparung in Anwendungen mit geringem Energieverbrauch ermöglichen.
Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM.
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